锐宸旭是面向大陆市场全新打造的半导体企业，与中国台湾世宣科技公司共同合作引进超精密研磨切割减薄技术，专注解决第三代宽禁带半导体的散热与应力难题。
世宣科技 2007 年创办于台湾，专精第三代宽禁带半导体晶圆减薄、切割解决方案。
引进多项成熟自研专利技术，团队扎根大陆，稳步开拓国内第三代半导体产业版图。
聚焦 GaN-on-Si 晶圆后端精密制程，服务从研发打样到量产导入的全流程。
第三代半导体产业飞速崛起，GaN-on-Si 渗透率逐年攀升。伴随高压、大功率应用持续扩容，器件对散热要求越来越高，也对晶圆后端精密制程提出更严苛标准。
自主研发的专利技术，以独立分离的加工工序处理晶圆，从根本上降低 GaN 材料因高硬度、高脆性导致的加工崩裂风险。
加工过程中保留适当厚度进行切割，再研磨至最终尺寸，有效降低破裂风险。
创新专利研切技术精准控制加工过程中的应力分布，减少芯片隐裂与缺陷风险。
以独立分离的加工工序处理晶圆，从根本上降低高硬度、高脆性材料的崩裂风险。
支持破损晶圆直接修整加工，无须额外处理步骤，提升晶圆利用率。
GaN 晶圆可稳定减薄至 75–150 μm，突破传统整片研磨限制，支持针对单颗晶粒独立减薄，可依产品设计需求客制化目标厚度。
芯片减薄有效缩短热传导路径，改善 GaN 高功率应用下的热累积问题；透过厚度客制化，减少合封结构中的高度补偿垫片需求。
先切割再减薄，使曲率作用的跨距由晶圆缩小为单颗芯片。挠度随跨距平方下降，同等曲率下芯片级挠度较晶圆级下降超过千倍，大幅降低崩边与破片风险。
稳定的精密加工制程提升整体成品良率与材料利用率；支持单颗芯片独立加工，降低因局部异常造成的整批材料损失，减少不必要的重工成本。
专注硅基氮化镓（GaN-on-Si）晶圆后端制程，提供减薄、划片、挑粒、激光开槽、背面金属化与制程间清洗的 OEM 服务。支持单颗晶粒独立加工与破损晶圆修整，服务范围涵盖研发打样、小批量验证到量产导入。
稳定减薄至 75–150 μm，支持单颗晶粒独立加工
减薄后背面镀层，降低接触热阻
切割前开槽，抑制脆性材料崩边
先切割再减薄，跨距由晶圆缩小为单颗芯片
制程间清洗，控制颗粒与残留
超薄芯片分选与移载，降低破片
传统合封时，两种芯片厚度存在差异，常需在较薄芯片下方加入 Spacer 补偿高度，增加材料层与热介面。透过超精密减薄技术，GaN 晶粒厚度可更接近 Si MOSFET，进而取消 Spacer，同时缩短垂直热传导路径。
| 比较项目 | 传统合封 | 超精密减薄方案 |
|---|---|---|
| 高度匹配方式 | 依赖 Spacer 补偿 | 控制 GaN 厚度匹配 |
| MOSFET 底部 Spacer | 需要 | 可取消 |
| 热传导介面 | 较多 | 较少 |
| 封装结构 | 较复杂 | 较简化 |
| 热管理潜力 | 受 Spacer 与厚度限制 | 更低热阻，更佳散热 |
优化第三代半导体加工生态，填补 GaN-on-Si 超薄精密加工领域的技术空白。
革新硅基氮化镓行业加工制程。
汇聚两岸技术力量，让中国在国际半导体市场更具竞争优势。
让硅基氮化镓的应力不再是难题。
